发明名称 |
MICROCIRCUITS ET PROCEDE DE FABRICATION, NOTAMMENT POUR TECHNOLOGIE A EFFET JOSEPHSON |
摘要 |
LE MICROCIRCUIT COMPREND UN SUBSTRAT S D'UN CONDUCTEUR QUASI-UNIDIMENSIONNEL Q1D DANS LEQUEL EST FORME, PAR BALAYAGE D'UN FAISCEAU HAUTE ENERGIE, UN MOTIF DE ZONES CONDUCTRICES 11 ET ISOLANTES 10 ALTERNEES. DANS UN MODE DE REALISATION, LE CONDUCTEUR Q1D, PAR EXEMPLE (TMTSF)C1O EST TEL QU'IL DEVIENT SUPRACONDUCTEUR A TRES BASSE TEMPERATURE, LE BALAYAGE DU FAISCEAU DE PARTICULES FORMANT IRREVERSIBLEMENT DES ZONES ISOLANTES 10 DANS LE SUBSTRAT. APPLICATION NOTAMMENT AUX TECHNOLOGIES UTILISANT LES JONCTIONS A EFFET JOSEPHSON SUPRACONDUCTEUR-ISOLANT-SUPRACONDUCTEUR.
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申请公布号 |
FR2522200(A1) |
申请公布日期 |
1983.08.26 |
申请号 |
FR19820002954 |
申请日期 |
1982.02.23 |
申请人 |
CENTRE NAL RECHERC SCIENTIFIQUE |
发明人 |
SERGE JEAN HUBERT BOUFFARD, LIBERO ZUPPIROLI, DENIS JEROME ET KLAUS BECHGAARD;ZUPPIROLI LIBERO;JEROME DENIS;BECHGAARD KLAUS |
分类号 |
H01L39/22;H01L39/12;H01L39/24;(IPC1-7):H01L39/22;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L39/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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