Electric nonvolatile word-programmable memory and use of such a memory.

摘要

Die Erfindung betrifft einen wortweise elektrisch umprogrammierbaren nichtflüchtigen Speicher mit matrixförmig angeordneten und Speichertransistoren (11) aufweisenden Speicherzellen (20 bis 43), bei denen die Lesefenster der Speichertransistoren (11) der Speicherzellen (20 bis 43) in mindestens zwei Teilbereichen (Z1, Z2 und Z3 bis Z6) des Speichers (10) unterschiedlich breit sind sowie die Verwendung eines solchen Speichers.