| 摘要 |
Dispositif semiconducteur comprenant un transistor à effet de champ et un transistor à jonction bipolaire fusionnés monolithiquement. Le dispositif possède une région semiconductrice (28a) avec un contact de base (13) et une électrode de porte (15), de sorte qu'un signal appliqué au contact de base (13) fait fonctionner le dispositif comme un transistor à jonction bipolaire, tandis qu'un signal appliqué à l'électrode de porte (15) fait fonctionner le dispositif comme un transistor à effet de champ. De cette manière, le mode de fonctionnement peut être choisi de manière à obtenir les caractéristiques de fonctionnement désirées. |
