PROCEDE POUR FORMER UN FILM D'OXYDE DOPE ET ARTICLE COMPOSITE COMPRENANT LEDIT FILM

摘要

L'INVENTION A POUR OBJET UN PROCEDE DE DOPAGE D'UN MATERIAU DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR.

CE PROCEDE COMPREND LES STADES SUIVANTS:

A.PREPARATION D'UN POLYORGANOSILOXANE A BAS POIDS MOLECULAIRE;

B.REACTION DU POLYORGANOSILOXANE PREPARE EN A AVEC UNE SOURCE DOPANT REACTIVE (QUI EST UN ACIDE, UN ALCOXYDE OU OXYDE D'UN ELEMENT DES GROUPES III OU V DE LA CLASSIFICATION PERIODIQUE) POUR DONNER UN POLYMERE POLYMETALLOSILOXANE;

C.REVETEMENT DU MATERIAU DE SUBSTRAT AVEC LEDIT POLYMERE POLYMETALLOSILOXANE;

D.TRANSFORMATION DU REVETEMENT EN UNE COUCHE VITREUSE;

E.CHAUFFAGE DU MATERIAU REVETU D'UNE COUCHE VITREUSE POUR DIFFUSER LA MATIERE DE DOPAGE DANS LE SUBSTRAT;

F.EVENTUELLEMENT, DECAPAGE ACIDE DE LA COUCHE VITREUSE.

LE PROCEDE PERMET D'OBTENIR DES SEMI-CONDUCTEURS AMELIORES.