PROCEDIMIENTO DE PASIVACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

摘要

PROCEDIMIENTO DE PASIVACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. SE FORMA UNA RANURA ADYACENTE AL PERIMETRO DE LA REACCION ACTIVA DEL DISPOSITIVO HACIENDO UN CORTE POR MEDIO DE UN RAYO LASER QUE INCIDE EN ANGULO OBLICUO CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DE DICHA REGION ACTIVA. SE ENSANCHA LA RANURA MEDIANTE MORDENTADO QUIMICO Y SE RECUBRE CON MATERIAL DIELECTRICO DE PASIVACION EN PELICULA DEPOSITADA A BAJA PRESION. DE APLICACION A PLACAS SEMICONDUCTORAS SOBRE LAS QUE SE FORMAN SIMULTANEAMENTE UNA PLURALIDAD DE DISPOSITIVOS Y EN DISPOSITIVOS DE VOLTAJE ELEVADO.