| 发明名称 |
Process for manufacturing silicon thin-film transistors on an insulating substrate. |
| 摘要 |
<p>Procédé de fabrication de transistors en couches minces en silicium. Selon l'invention, on dépose sur un substrat isolant (10), une couche de métal (12) que l'on photograve, on dépose successivement une couche de silicium (16) sur l'ensemble, une couche de silice (20), une couche de métal de grille (24) et on photograve les trois dernières couches. Application à la réalisation de composants électroniques de grande surface.</p> |
| 申请公布号 |
EP0082783(A2) |
申请公布日期 |
1983.06.29 |
| 申请号 |
EP19820402332 |
申请日期 |
1982.12.17 |
| 申请人 |
MORIN, FRANCOIS;FAVENNEC, JEAN-LUC;BONNEL, MADELEINE |
发明人 |
MORIN, FRANCOIS |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/45;H01L29/786;(IPC1-7):01L21/84;01L29/78;01L29/54 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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