| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen von zur Verwendung in Halbleiteranordnungen bestimmtem Germanium oder Silizium mit einer definiert eingestellten Diffusionslaenge der Ladungstraeger |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1219233(B) |
申请公布日期 |
1966.06.16 |
| 申请号 |
DE1955S043546 |
申请日期 |
1955.04.18 |
| 申请人 |
SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
RUMMEL DIPL.-ING. DR. THEODOR |
| 分类号 |
C22B41/00;C22C1/10;C30B9/00;H01L21/00;H01L21/20 |
主分类号 |
C22B41/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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