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<P>LASER A SEMI-CONDUCTEURS 10 COMPRENANT UN SUBSTRAT 18 COMPORTANT UNE PAIRE DE SURFACES PRINCIPALES OPPOSEES 20, 22, UNE PAIRE DE RAINURES 24 ESSENTIELLEMENT PARALLELES SITUEES DANS LA PREMIERE SURFACE PRINCIPALE 20 ET SEPAREES PAR UNE STRUCTURE MESA 26, ET UNE SURFACE ACTIVE 32 RECOUVANT LA PREMIERE SURFACE PRINCIPALE 20 DU SUBSTRAT 18, LES RAINURES 24 ET LA SURFACE DE LA STRUCTURE MESA 26, CARACTERISE EN CE QUE LA STRUCTURE MESA 26, EST A UNE HAUTEUR AU-DESSUS DU FOND 24A DES RAINURES 24 DIFFERENTE DE LA HAUTEUR A LAQUELLE LA PREMIERE SURFACE PRINCIPALE 20 DU SUBSTRAT SE TROUVE AU-DESSUS DU FOND 24A DES RAINURES 24.</P>
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