| 摘要 |
<p><P>CE PROCEDE PERMET DE DETACHER DES COUCHES CRISTALLINES 13 OBTENUES PAR EPITAXIE (COUCHES EPITAXIALES) DES SUPPORTS 11 SUR LESQUELS LEUR CROISSANCE A ETE EFFECTUEE. UNE COUCHE MINCE DE MONOCRISTAL EST FORMEE PAR CROISSANCE EPITAXIQUE SUR UN SUBSTRAT 11, LA MATIERE A L'INTERFACE DE LA COUCHE EPITAXIALE ET DU SUBSTRAT AYANT UNE TEMPERATURE DE POINT DE FUSION INFERIEURE A CELLE DE LA COUCHE EPITAXIALE. DE LA CHALEUR EST APPLIQUEE A LA MATIERE DE TEMPERATURE DE POINT DE FUSION PLUS BASSE, AFIN DE LA LIQUEFIER AU MOINS EN PARTIE. UNE TENSION EST APPLIQUEE ENTRE LA COUCHE EPITAXIALE ET UNE PLAQUE RECEPTRICE CONTIGUE 23, AFIN D'EXERCER UNE FORCE ELECTRIQUE SUR LA COUCHE EPITAXIALE POUR FACILITER SA SEPARATION D'AVEC LE SUBSTRAT.</P></p> |
