| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UNE DIODE PHOTORECEPTRICE, REALISEE EN MATERIAUX COMPOSES III-V, DONT L'EFFET DE DETECTION PAR ABSORPTION DE PHOTONS EST AMPLIFIE PAR AVALANCHE, QUI SE PRODUIT DANS UNE COUCHE DISTINCTE DE LA COUCHE D'ABSORPTION.</P><P>POUR OBTENIR UN FAIBLE BRUIT D'AMPLIFICATION, IL FAUT QUE LES COEFFICIENTS D'IONISATION SOIENT TRES DIFFERENTS POUR LES ELECTRONS ET LES TROUS, C'EST-A-DIRE QUE LE CHAMP ELECTRIQUE SOIT FAIBLE. POUR OBTENIR UN GAIN ELEVE, IL FAUT QUE CE CHAMP S'EXERCE SUR UNE GRANDE LONGUEUR. LA DIODE SELON L'INVENTION COMPREND UN SUBSTRAT 1, UNE COUCHE D'ABSORPTION 2, UNE COUCHE DE DIMINUTION DU CHAMP 9, UNE COUCHE D'AVALANCHE 10, TOUTES DE MEME TYPE DE CONDUCTIVITE, ET UNE COUCHE DE CONTACT 11 DE CONDUCTIVITE DE TYPE OPPOSE. LA COUCHE D'ABAISSEMENT DE CHAMP 9 ET LA COUCHE D'AVALANCHE 10 REPONDENT TOUTES DEUX A LA CONDITION "CONCENTRATION X LONGUEUR CONSTANTE ".</P><P>APPLICATION AUX DIODES PHOTODETECTRICES DANS LES TELECOMMUNICATIONS PAR FIBRES OPTIQUES.</P>
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