Process for making adjacent ion impurity implanted wells for manufacturing highly integrated complementary MOS field effect transistor circuits.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung benachbarter mit Dotierstoff-Ionen implantierter Wannen bei der Herstellung hochintegrierter komplementärer MOS-Feldeffekttransistorschaltungen (CMOS-Schaltungen), sowie eine, an die Wannenherstellung angepaßte Verfahrensfolge für einen CMOS-Prozeß. Dabei wird zur räumlichen weitgehenden Separation der Wannen die p-Wanne (5) vor der n-Wanne (8) hergestellt und gezielt eine Unterätzung (25) der als Implantationsmaske bei der p-Wannenherstellung dienenden Nitridschicht (4) erzeugt, so daß bei der nachfolgenden Oxidation die Kante der Oxidation um 1 bis 2 µm nach außen verschoben wird. Außerdem wird die Eindringtiefe xjn der n-Wanne (8) um den Faktor >=4 geringer eingestellt als die Eindringtiefe xjp der p-Wanne (5), wobei die Dicke der n-dotierten Epitaxieschicht 2 und die Eindringtiefe xjp aufeinander abgestimmt sind. Beide Wannen werden getrennt implantiert und diffundiert. Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung werden die Nachteile der gegenseitigen weitreichenden Kompensation von p- und n-Wanne vermieden.