| 摘要 |
<P>LE CIRCUIT PRESENTE, EN PARALLELE SUR L'ENTREE, UN TRANSISTOR T3 DONT LA BORNE DE "GACHETTE" EST POLARISEE A UNE TENSION PREALABLEMENT FIXEE. LORSQUE LA DEMI-ONDE NEGATIVE DU SIGNAL D'ENTREE DESCEND AU-DESSOUS D'UN NIVEAU PREALABLEMENT FIXE, SUPERIEUR A LA TENSION POUR LAQUELLE LA JONCTION D'ENTREE DU CIRCUIT INTEGRE, PAR EXEMPLE LA DIODE DE PROTECTION USUELLE D, PASSERAIT EN CONDUCTION DIRECTE EN PROVOQUANT UNE INJECTION NUISIBLE DE CHARGES MINORITAIRES DANS LE SUBSTRAT, LE TRANSISTOR PASSE EN CONDUCTION, CE QUI REDUIT RADICALEMENT L'IMPEDANCE D'ENTREE DU CIRCUIT.</P>
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