| 发明名称 |
Process for manufacturing a semiconductor device using a diffusion step involving a previous implantation step, and device made by that process. |
| 摘要 |
<p>Selon l'invention, une impureté qui présente de l'affinité chimique avec l'impureté de diffusion est implantée dans le substrat avant diffusion. Celle-ci est alors limitée en profondeur. Application en technologie des semiconducteurs.</p> |
| 申请公布号 |
EP0080937(A1) |
申请公布日期 |
1983.06.08 |
| 申请号 |
EP19820402141 |
申请日期 |
1982.11.24 |
| 申请人 |
SALVI, MICHEL;FAVENNEC, PIERRE NOEL;GAUNEAU, MARCEL |
发明人 |
SALVI, MICHEL |
| 分类号 |
H01L21/22;H01L21/223;H01L21/265;H01L29/207;(IPC1-7):01L21/265;01L29/207;01L21/225 |
主分类号 |
H01L21/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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