| 发明名称 |
HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN OP HET HALFGELEIDERLICHAAM AANGEBRACHTE ISOLERENDE LAAG VAN SILICIUMDIOXYDE EN EEN BESCHERMENDE LAAG VAN SILICIUMCARBIDE. |
| 摘要 |
A semiconductor device comprising a semiconductor substrate and protective films formed thereon. The protective films comprise at least one silicon carbide film which may be pure or may contain particular impurities. |
| 申请公布号 |
NL171944(C) |
申请公布日期 |
1983.06.01 |
| 申请号 |
NL19760014307 |
申请日期 |
1976.12.23 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO., LTD. TE KAWASAKI, JAPAN. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/314;H01L23/29;H01L23/31;(IPC1-7):H01L23/28;H01L21/31;H01L29/12 |
主分类号 |
H01L21/314 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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