| 发明名称 |
Method of forming a metal contact on a semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3388000(A) |
申请公布日期 |
1968.06.11 |
| 申请号 |
US19640397413 |
申请日期 |
1964.09.18 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
WALTERS WARREN P.;LOVELACE BYRON K. |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/033;H01L23/29;H01L23/485;H01L29/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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