DETECTEUR PHOTO-ELECTRIQUE A SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE PIN-FET

摘要

L'INVENTION CONCERNE LES DETECTEURS PHOTO-ELECTRIQUES OU PHOTODETECTEURS.

ELLE A POUR OBJET UN PHOTODETECTEUR A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION DANS LEQUEL LES CONTACTS DE SOURCE ET DE DRAIN 3 ET 4 SONT DISPOSES SUR UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE 2, DE PART ET D'AUTRE D'UNE NERVURE 5 PORTANT LE CONTACT DE GRILLE 6. LE MATERIAU DE CETTE NERVURE 5 EST TEL QU'ELLE CONSTITUE UN GUIDE D'ONDE OPTIQUE. IL DELIMITE UN COTE DE LA JONCTION DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP.

L'INVENTION EST SPECIALEMENT PREVUE POUR ETRE APPLIQUEE DANS LES SYSTEMES A FIBRES OPTIQUES.