METHOD OF FORMING WIDE BANDGAP REGION WITHIN MULTILAYER SEMICONDUCTORS.

摘要

Procede permettant de convertir une structure de semiconducteurs multicouches (20), comprenant des regions actives de semiconducteurs (22) placees entre des couches de barriere de semiconducteurs (24), en un alliage desordonne grace a l'introduction selective d'elements perturbateurs ou ions de Zn, Fi ou As dans la structure multicouches. L'alliage desordonne presente un ecartement de bande d'energie plus eleve tout en maintenant une cristallinite unique. Ce procede est utilise, par exemple, dans la fabrication de transistors a effet de champ a barriere Schottky (Fig. 5), des diodes electro-luminescentes (Fig. 3-4) et des dispositifs electro-optiques integres (Fig. 6).