| 发明名称 |
RADIATION INDUCED DEPOSITION OF METAL ON SEMICONDUCTOR SURFACES. |
| 摘要 |
Une couche metallique est formee sur une surface d'un semi-conducteur compose du groupe III-V en placant la surface au contact d'une solution contenant un metal et en dirigeant des rayons laser au travers de la solution. La radiation possede une longueur d'onde qui est absorbee dans la surface, permettant ainsi d'induire thermiquement une reaction chimique entre la surface et la solution et provoquant le depot de metal de la solution sur la surface. Des exemples specifiques de depot de Pt, Au et Zn sur InP et GaAs sont decrits. |
| 申请公布号 |
EP0077814(A1) |
申请公布日期 |
1983.05.04 |
| 申请号 |
EP19820901676 |
申请日期 |
1982.04.16 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
DONNELLY, VINCENT MICHAEL;KARLICEK, ROBERT FRANK, JR. |
| 分类号 |
H01L21/285;C23C18/14;H01L21/268;H01L21/288;(IPC1-7):05D1/18;05D3/06 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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