PROCESS FOR MANUFACTURING CMOS SEMICONDUCTOR DEVICES.

摘要

Dans un procede de fabrication de dispositifs CMOS ayant des electrodes de portes en polysilicium sur un substrat semiconducteur (10), une couche d'oxyde de porte (16) est deposee sur le substrat. et des electrodes de porte en polysilicium dopees (22) sont definies sur la couche d'oxyde de porte (16) qui est ensuite enlevee de la source et des regions de drainage. Une couche protectrice (32) de dioxyde de silicium est alors appliquee sur la source et les regions de drainage et sur les parois laterales (28) des electrodes de porte (22). Un premier masque de nitrure de silicium (34) est forme laissant une premiere region (18) exposee, laquelle est alors soumise a une implantation de bore pour former les sources et les drains des dispositifs a canaux p. Un second masque de nitrure de silicium (42) est forme sur le substrat (10), et une seconde region (20) du substrat est ensuite soumise a une implantation d'arsenic pour former les sources et les drains des dispositifs a canaux n. Le nitrure de silicium restant est enleve en utilisant un agent d'attaque chimique d'acide phosphorique, la surface du substrat etant protegee pendant l'attaque chimique par la couche protectrice d'oxyde de silicium (32).