| 发明名称 |
Field effect transistor having a vertical channel. |
| 摘要 |
<p>L'invention se rapporte aux transistors à effet de champ à canal vertical. L'invention a pour objet une structure particulière de la grille qui en augmente ses qualités. L'invention s'applique à la réalisation de transistors à effet de champ performants à simple ou double grille.</p> |
| 申请公布号 |
EP0077706(A1) |
申请公布日期 |
1983.04.27 |
| 申请号 |
EP19820401821 |
申请日期 |
1982.10.05 |
| 申请人 |
THOMSON-CSF |
发明人 |
JAY, PAUL-ROBERT;RUMELHARD, CHRISTIAN |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L21/331;H01L29/423;H01L29/73;H01L29/772;(IPC1-7):01L29/80;01L29/72;01L29/60 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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