DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE REGION DE TYPE P CONSTITUE D'UN SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE DES GROUPES II-VI

摘要

A.DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR CONSTITUE D'UN SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE II-VI ET COMPORTANT UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P.

B.DISPOSITIF CARACTERISE EN CE QUE LE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P EST OBTENU PAR CROISSANCE DU CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE II-VI BASEE SUR UN PROCEDE DE CROISSANCE EN SOLUTION UTILISANT UN SOLVANT CONSTITUE DE L'UN DES ELEMENTS DU GROUPE II ET DU GROUPE VI CONSTITUANT CE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE II-VI ET AYANT UNE PRESSION DE VAPEUR PLUS ELEVEE QUE L'AUTRE DE SES ELEMENTS DANS UNE ATMOSPHERE CONSTITUEE DE L'AUTRE DE SES ELEMENTS AYANT UNE PRESSION DE VAPEUR PLUS BASSE QUE LA PRESSION DE VAPEUR CONTROLEE DE L'ATMOSPHERE, ET PAR DOPAGE DANS CE SOLVANT D'UN ELEMENT D'IMPURETE DE TYPE P CHOISI PARMI LES ELEMENTS DU GROUPE IA ET DU GROUPE IB, EN UNE QUANTITE COMPRISE ENTRE 110 ET 510MOL.

C.L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA FABRICATION DES DIODES LUMINESCENTES.