| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen p-dotierter Zonen mit unterschiedlicher Eindringtiefe in Silicium |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1811277(A1) |
申请公布日期 |
1970.06.18 |
| 申请号 |
DE19681811277 |
申请日期 |
1968.11.27 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
MUELLER,DIPL.-PHYS.DR.WOLFGANG |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/225;H01L21/316;H01L29/00 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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