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摘要 PURPOSE:To realize a high speed highly integrated memory SLI quite different from conventional semiconductor memory by applying a pulse voltage in stead of a high voltage to a data line control electrode DG.
申请公布号 JPS5818714(B2) 申请公布日期 1983.04.14
申请号 JP19760006669 申请日期 1976.01.26
申请人 HITACHI LTD 发明人 ITO KYOO
分类号 G11C11/401;G11C11/403 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人
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