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Die Erfindung bezieht sich auf einen Bildsensor mit auf einem Halbleiterkörper (1) in Zeilen und Spalten angeordneten Sensorelementen. Diese bestehen jeweils aus einem Auswahltransistor (T1) und einem lichtempfindlichen Element, das einen Teil einer durchgehenden Fotoleiterschicht (9) darstellt und zwischen einer transparenten Deckelektrode (12) und einer mit dem Auswahltransistor (T1) verbundenen Ankoppelelektrode (6) liegt. Angestrebt wird eine sehr hohe Packungsdichte der Sensorelemente auf dem Halbleiterkörper (1). Erfindungsgemäß wird das dadurch erreicht, daß jeweils zwei benachbarte Sensorelemente, die in derselben Spalte aber in unterschiedlichen Zeilen liegen, in der Weise zusammengefaßt sind, daß die Anschlußgebiete ihrer Auswahltransistoren (T1, T2) aus einem einzigen, beiden Sensorelementen gemeinsamen Halbleitergebiet (3) bestehen, das mit der gemeinsamen Spaltenleitung (17) verbunden ist. Der Anwendungsbereich umfaßt VLSI-Bildsensoren.
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