| 发明名称 |
PROCEDE DE RECUIT SUPERFICIEL PAR ENERGIE MICRO-ONDE PULSEE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS |
| 摘要 |
<P>RECUIT DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>LE PROCEDE DE RECUIT SUPERFICIEL DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR EST CARACTERISE EN CE QU'ON PLACE UN ECHANTILLON DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR DANS UNE CAVITE RESONNANTE, ON EMET UNE IMPULSION DE MICRO-ONDES A L'INTERIEUR DE LA CAVITE ET ON CONFERE A CETTE IMPULSION UNE DUREE ET UNE PUISSANCE SUFFISANTES POUR PROVOQUER UN RECUIT ETOU LA FUSION DE L'ECHANTILLON ET SA RECRISTALLISATION SUBSEQUENTE.</P><P>APPLICATION A LA CRISTALLISATION D'UNE COUCHE D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE DEPOSE SUR UN SUBSTRAT.</P>
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| 申请公布号 |
FR2513659(A1) |
申请公布日期 |
1983.04.01 |
| 申请号 |
FR19810018656 |
申请日期 |
1981.09.29 |
| 申请人 |
CENTRE NAL RECHERC SCIENTIFIQUE |
发明人 |
JOSEPH COHEN, GEORGES KAMARINOS ET PIERRE CHENEVIER;KAMARINOS GEORGES;CHENEVIER PIERRE |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/22;H01L21/324;(IPC1-7):C22F3/00;C22F1/16;H01L21/32;H05B6/64 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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