PROCESS FOR MAKING ELECTRICAL CONTACT TO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE REGIONS

摘要

Un procédé de réalisation d'un contact électrique entre une couche d'interconnexion de poly (silicium polycristallin) (21) et une région dopée telle qu'une région de source/drain dans un substrat de silicium (2) consiste à implanter des ions dans une région (19) du substrat adjacente à la région dopée et à la recouvrir d'une couche de bioxyde de silicium (4) pour former un canal pouvant fonctionner en tant que canal d'appauvrissement (23). Un segment de la couche de bioxyde de silicium (4) est enlevé pour exposer un segment (29) du substrat. Une couche d'interconnexion de poly (21) est ensuite formée et attaquée, la couche de bioxyde de silicium (4) protégeant le substrat (2) contre les dégats en surface pendant l'attaque. La couche d'interconnexion de poly et la région adjacente du substrat sont ensuite dopées pour former des conducteurs et les régions de source/drain dopées respectivement.