| 发明名称 |
Device for compensating corrosion effects in integrated semiconductor circuits. |
| 摘要 |
Als Schutz gegen durch bewegliche positive Ionen in Isolationsoxiden von integrierten Schaltkreisen (10) bedingte Korrosion ist ein an ein negatives Potential angeschlossener Ring (11) aus einem gegen Korrosion aufgrund von positiven Ionen im Betrieb von Halbleiterschaltkreisen beständiges Material auf der Schaltkreis-Oberfläche vorgesehen. |
| 申请公布号 |
EP0075331(A2) |
申请公布日期 |
1983.03.30 |
| 申请号 |
EP19820108787 |
申请日期 |
1982.09.22 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
GOETZ, ROLF JURGEN, DR. DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L23/52;H01L21/316;H01L21/3205;H01L23/00;H01L23/58;H01L29/40;(IPC1-7):01L23/56;01L23/54 |
主分类号 |
H01L23/52 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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