| 主权项 |
1﹒一种含有超薄多结矽膜电晶体之热印头,包含:加热电阻器,形成于基板上所形成之薄的多结晶矽层;以及激励电路,含有各具有薄的活性层之超薄膜电晶体,形成于该多结晶矽层内。2﹒如请求专利部份第1项所述之热印头,其中,形成该超薄多结晶矽膜电晶体之各个活性层之多结晶矽层之厚度系在20至800A范围内。3﹒如请求专利部份第1项所述之热印头,其中,形成该加热电阻器之材料系相同于形成该超薄多结晶矽膜电晶体之各个活性层之材料。4﹒如请求专利部份第1项所述之热印头,其中,该加热电阻器与该超薄多结晶矽膜电晶体之各个闸极系由相同之材料予以形成。5﹒一种含有超薄多结晶矽膜电晶体之热印头,包含:绝缘矽基板:热阻抗层,形成于绝缘矽基板之表面之至少一部份上;薄的多结晶矽层,形成于热阻抗层之部份上;加热电阻器,形成于薄的多结晶矽层上;以及激励电路,含有各具有薄的活性层之薄膜电晶体,形成于薄的多结晶矽层内。6﹒如请求专利部份第5﹒项所述之热印头,其中,形成该薄膜电晶体之各个活性层之多结晶矽层之厚度系在20至800A范围内。7﹒如请求专利部份第5﹒项所述之热印头,其中,凸形之第二个热阻抗层被形成于各该加热电阻器与该绝缘矽基板之间。8﹒如请求专利部份第1至7﹒项任何一项所述之热印头,其中,抗氧化保护层盖在各该活性层上。9﹒如请求专利部份第8﹒项所述之热印头,其中,一层耐磨材料被涂施于该电阻器与该激励电路之区域上。 |
