PATE DE METALLISATION A BASE DE VERRE CHARGE A L'ARGENT ET ENSEMBLE, NOTAMMENT ELECTRONIQUE, EN COMPORTANT APPLICATION

摘要

L'INVENTION CONCERNE UNE PATE DE METALLISATION A L'ARGENT POUR LA FIXATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS EN SILICIUM DANS DES BOITIERS A SUPPORT CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DES BOITIERS CERAMIQUES, QUI EST MOINS COUTEUSE QU'UNE PREFORME EN OR MAIS UTILISABLE DANS DES BOITIERS HERMETIQUES, ET FOURNISSANT UNE MEILLEURE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET THERMIQUE ET UNE RESISTANCE DE LIAISON SUPERIEURE A CELLES DES POLYIMIDES A L'ARGENT. ON MELANGE DE 25 A 95 D'ARGENT AVEC UN VERRE A BAS POINT DE FUSION, DE PREFERENCE AYANT UNE TENEUR EN PBO DE 95 A 96 ET UNE PATE OU ENCRE EST FORMEE AVEC UN VEHICULE APPROPRIE AVEC UNE TENEUR EN SOLIDES 75 A 85. LA PATE EST PARTICULIEREMENT UTILE DANS LA TECHNOLOGIE MOS ET ELLE TROUVEEGALEMENT DES APPLICATIONS COMME SUBSTITUT DE SOUDURE ET DANS LA LIAISON DE CONDENSATEURS EN PASTILLES. SON PLUS GRAND AVANTAGE SE SITUE DANS LA FIXATION DE CIRCUITS INTEGRES DE GRANDES DIMENSIONS EN CE SENS QUE LE CRAQUELEMENT PAR CONTRAINTE ASSOCIE A L'EUTECTIQUE OR-SILICIUM EST SUPPRIME.