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发明名称 METHOD OF DETERMINING IONIZATION ENERGY OF DEEP LEVELS IN SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 SU1005221(A1) 申请公布日期 1983.03.15
申请号 SU19813291704 申请日期 1981.05.18
申请人 RYAZANSKIJ RADIOTEKHNICHESKIJ INSTITUT 发明人 ORESHKIN PAVEL T,SU;PERELYGIN ALEKSANDR I,SU;GARMASH YURIJ V,SU
分类号 H01L21/66;(IPC1-7):H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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