Semiconductor amplifier circuit.

摘要

Die Erfindung geht von einer integrierbaren Transistorverstärkerschaltung aus, wie sie dem Stande der Technik entspricht und in Fig. 1 dieser Anmeldung dargestellt ist. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist nün angestrebt, eine solche Schaltung derart auszugestalten, daß sie eine niederohmige Ausgangsstufe bildet, die bis zu Spannungen von ca. UB-2UBE aussteuerbar ist und die im Verhältnis zu den bekannten Verstärkerschaltungen dieser Art nur einen kleinen Ruhestrom benötigt. Hierzu liegt bei dem erfindungsgemäßen Niederfrequenzverstärker der Signaleingang am Basisanschluß zweier zueinander komplementärer Transistoren, deren Emitteranschlüsse durch je eine Konstantstromquelle versorgt sind. Die Kollektorelektroden dieser beiden Transistoren sind gemeinsam mit dem Signalausgang des Verstärkers verbunden. Am Verstärkerausgang liegen außerdem die Emitter zweier weiterer zueinander komplementärer Transistoren, deren Kollektoren mit der zugehörigen Versorgungsklemme verbunden sind und deren Basisanschlüsse derart an die Emitteranschlüsse der beiden erstgenannten Transistoren geschaltet sind, daß die beiden jeweils auf die letztgenannte Art miteinander verbundenen Transistoren ebenfalls zueinander komplementär sind.