发明名称 |
DISPOSITIF DE MEMOIRE REMANENTE |
摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF DE MEMOIRE REMANENTE.</P><P>CE DISPOSITIF COMPORTE DES CELLULES DE MEMOIRE (Q ---Q Q --- Q) DU TYPE A GRILLE ISOLEE, DES BORNES (V) PERMETTANT D'APPLIQUER UNE TENSION DE COMMANDE, DES LIGNES DE TRANSMISSION DE BITS (D ---D) ET PLUSIEURS LIGNES DE TRANSMISSION DE MOTS (W --- W), DONT LES EXTREMITES SITUEES D'UN COTE SONT RACCORDEES AUXDITES BORNES PAR L'INTERMEDIAIRE D'ELEMENTS FORMANT RESISTANCES (R ---R) ET DONT LES AUTRES EXTREMITES SONT RACCORDEES A DES DECODEURS (X-DEC) PAR L'INTERMEDIAIRE DE TRANSISTORS (Q --- Q).</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES EPROM EFFACABLES ET PROGRAMMABLES ELECTRIQUEMENT.</P>
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申请公布号 |
FR2511539(A1) |
申请公布日期 |
1983.02.18 |
申请号 |
FR19820013877 |
申请日期 |
1982.08.09 |
申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
KAZUHIRO KOMORI, SATOSHI MEGURO, SATORU ITO, TOSHIMASA KIHARA ET HARUMI;MEGURO SATOSHI;ITO SATORU;KIHARA TOSHIMASA;HARUMI |
分类号 |
G11C11/40;H01L27/088;(IPC1-7):G11C17/00 |
主分类号 |
G11C11/40 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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