发明名称 Developing solution for positive-acting radiation-sensitive reproduction layers.
摘要 Die Erfindung beschreibt eine wäßrig-alkalische Entwicklerlösung für positiv-arbeitende strahlungsempfindliche Reproduktionsschichten, wie sie z.B. für Offsetdruckplatten und Fotoresists verwendet werden. Diese Entwicklerlösung enthält mindestens eine organische Lithiumverbindung und Natriummetasilikat.
申请公布号 EP0071823(A2) 申请公布日期 1983.02.16
申请号 EP19820106566 申请日期 1982.07.21
申请人 AMERICAN HOECHST CORPORATION 发明人 SHANE, HSIEH
分类号 G03C1/72;G03F7/039;G03F7/32;(IPC1-7):G03F7/26 主分类号 G03C1/72
代理机构 代理人
主权项
地址