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经营范围
发明名称
半导体元件之接合用金漞
摘要
申请公布号
TW096578
申请公布日期
1988.03.01
申请号
TW075102120
申请日期
1986.05.13
申请人
田中电子工业股份有限公司
发明人
山本太洋;向山光一郎;福井康夫
分类号
H01L23/48
主分类号
H01L23/48
代理机构
代理人
杜汉淮 台北巿吉林路二十四号九楼I室
主权项
1.一种半导体元件之搭接用金线,系含有99.996-99.99995重量%之高纯度金(Au)及0.0032-0.008重量%之锗(Ge)为其特征者。2.一种半导体元件之搭接用金线,系含有99.996-99.99995重量%之高纯度金(Au)、0.0032-0.008重量%之锗(Ge)及铍(Be)。3.如请求专利部份第2.项所述之半导体元件之搭接用金线,其中该铍(Be)之含量系0.00001-0.00009重量%者。
地址
日本
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