发明名称 CIRCUIT DE MISE EN SERVICE D'UN CIRCUIT SEMICONDUCTEUR CMOS
摘要 <P>DANS UN CIRCUIT INTEGRE CMOS A DEUX TENSIONS D'ALIMENTATION, L'UNE HAUTE, L'AUTRE BASSE, ON A SOUVENT UN DIODE PARASITE 3 SOUS LA FORME D'UN THYRISTOR, DONT L'ANODE EST RELIEE A LA BASSE TENSION V ET LA CATHODE A LA HAUTE TENSION V.</P><P>UN TRANSISTOR FET 4 EST AJOUTE AVEC SON CIRCUIT SOURCE-DRAIN MONTE ENTRE LA BORNE BASSE TENSION DU CIRCUIT ET LA SOURCE BASSE TENSION V, ET SA GRILLE RELIEE A LA SOURCE HAUTE TENSION. CE TRANSISTOR 4 EMPECHE LA DIODE 3 DE CLAQUER, MEME SI, A LA MISE SOUS TENSION DU CIRCUIT, LA TENSION DELIVREE PAR LA SOURCE BASSE TENSION S'ELEVE PLUS VITE QUE CELLE DELIVREE PAR LA SOURCE HAUTE TENSION.</P>
申请公布号 FR2509932(A1) 申请公布日期 1983.01.21
申请号 FR19820005260 申请日期 1982.03.19
申请人 MITEL CORP 发明人 ANDREAS DEMETRIOU
分类号 H03K5/02;G05F1/577;H01L27/02;H01L27/092;H03K5/00;H03K17/08;H03K17/0814;H03K17/16;H03K17/687;H03K19/003;(IPC1-7):H03K19/00;H01L27/06;H03K19/09 主分类号 H03K5/02
代理机构 代理人
主权项
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