| 主权项 |
1.在低含氧空气中烧制的厚膜电阻体组成物,由个别细微颗粒构成,有(a)缺阴离子半导体材料,实际为耐火金属氮化物,氮氧化物或其混含物;及(b)软化点低于半导体材料的非还原性玻璃,散布在(c)有机介质中。2.请求专利部份第1.项的成份中,耐火金属可为Si,Al,Zr,Hf,Ta,W和Mo ,及其混合物。3.请求专利部份第1.项的成份中,半导体材料为矽氮化物。4.请求专利部份第1.项的成份中,半导体材料为矽氮氧化物,相当于化学式S11.4N15O0.3 至Si11.5N15O0.5 。5.请求专利部份第1.项的非还原性玻璃可为含Ca+2,Ti+4和Zr+4 的铝硼矽化物玻璃,含Ba+2,Ca+2,Zr+4,Mg+2 和Ti+4 的铝硼矽化物玻璃,含Bi+3 及Li+ 的硼矽玻璃,铅玻璃,及其混合物。6.请求专利部份第1.项的成份中包含导电材料的质点,可为Ru O2,Ru,Cu,Ni,Ni3B 及其混合物及其前驱动。7.包含一层印刷的请求专利部份第1.项的电阻元件,它在低含氧空气中烧装以挥发有机介质并促进玻璃的液相烧结。 |
