发明名称 Semiconductor power element with protection circuit.
摘要 Erfindungsgemäß besteht die Schutzschaltung aus einem Spannungsteiler mit vier in Reihe geschalteten Widerständen, wobei der mittlere Teilerpunkt an der Basis eines Schutztransistors gelegt ist, während seine beiden Endpunkte mit einer Versorgungsklemme bzw. einer Ausgangsklemme verbunden sind. Die beiden stromführenden Anschlüsse des z.B. als npn-Transistor ausgebildeten Leistungselements L sind an je eine der beiden genannte Klemmen geschaltet, wobei im Falle der einen Klemme - im Gegensatz zur anderen Klemme - je ein Vorwiderstand vorgesehen ist. Ein als Sonde wirkender Transistor vom Leistungstyp des Schutzelements ist mit seinem Kollektor mit derjenigen stromführenden Elektrode des Leistungselements L verbunden die ohne Vermittlung eines Vorwiderstands an die zugehörige Klemme gelegt ist.
申请公布号 EP0068203(A1) 申请公布日期 1983.01.05
申请号 EP19820105041 申请日期 1982.06.08
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 LENZ, MICHAEL, ING.GRAD.;POHL, GUENTER, ING.GRAD.
分类号 H03F1/52;H03F3/30;(IPC1-7):H03F1/52;H02H7/20 主分类号 H03F1/52
代理机构 代理人
主权项
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