Electrically programmable read-only memory.

摘要

Ensemble de mémoire morte électriquement programmable, comprenant des cellules d'emmagasinage disposées aux intersections de lignes de bits (BL1) et de lignes de mots (WL1, WL2). Chaque cellule est formée d'un transistor bipolaire ayant une région de base (70), une région émetteur (71) sur laquelle est disposée une couche diélectrique (2). La cellule dans cet état représente un bit d'information binaire 1 ou 0. En appliquant une tension appropriée de l'ordre de 4 volts aux bornes de cette cellule par l'intermédiaire de la ligne de bit (BL1) et de la ligne de mot (WL2), le diélectrique claque et la ligne de bit est en contact ohmique avec l'émetteur, ce qui met la cellule dans l'autre état représentant un 0 ou un 1.