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Procede de fabrication d'un dispositif electro-optique a semi-conducteur possedant une electrode en oxyde metallique transparent a motif. Selon ce procede, on depose une couche (18) d'oxyde metallique transparent conducteur sur la surface d'un substrat semi-conducteur (12). On recouvre ensuite la couche (18) conductrice transparente par une couche (20) d'un metal de transition (de preference du chrome) qui forme un bon contact electrique avec l'oxyde metallique transparent et qui peut etre attaque chimiquement de facon independante de l'oxyde metallique transparent. On elimine par attaque chimique des parties du metal de transition (par exemple en utilisant des techniques photolithographiques) afin de definir la transition d'electrode desiree en utilisant un agent d'attaque chimique qui attaque le metal de transition mais n'attaque pas sensiblement la couche d'oxyde metallique transparent. On enleve ensuite des parties de la couche d'oxyde metallique transparent exposee en utilisant un agent d'attaque chimique qui attaque l'oxyde metallique transparent mais n'attaque pas sensiblement le metal de transition. On enleve ensuite des parties du metal de transition restant des zones de formation d'image du dispositif, en ne laissant le metal de transition que dans les zones peripheriques ou doivent etre etablies des connexions electriques. Dans le mode d'execution prefere, on depose une couche de metallisation finale (28) (par exemple de l'or), sur la structure, et celle-ci est passee au four pour faire adherer le metal final aux parties restantes du metal de transition. Enfin, on enleve des parties de la couche finale de metal en ne laissant cette couche finale que dans les zones du conducteur commun et les zones de liaison definies par le metal de transition. |
