MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

摘要

Dans une plaquette semiconductrice (12) on amenage un circuit integre avec un transistor npn (10) et une diode (11). La diode (11) est connectee au collecteur du transistor (10) par sa cathode. La zone collectrice du transistor (10) est formee par une couche a conductivite de type n- (14). La zone de base du transistor (10) est formee par une premiere zone a conductivite de type p (16) et diffusee dans la zone du collecteur (14) tandis que la zone d'emetteur du transistor (10) est formee par une zone (17) de type de conductivite n+ diffusee dans la zone de base (16). La cathode de la diode (11) est formee de la zone n- collectrice (14) du transistor (10) tandis que l'anode de la diode (11) est formee par une deuxieme zone de type de conductivite p (18) diffusee dans la zone collectrice. En outre, on a diffuse dans la zone collectrice (14), autour de la deuxieme zone (18) du type de conductivite p une troisieme zone de type de conductivite p (19) qui forme un anneau de garde. Cette zone (19) est connectee avec la zone collectrice (14) du transistor (10) par une metallisation (20).