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Dans un procede de formation d'un circuit integre CMOS (10) ayant des electrodes de porte au polysilicium (28, 38), les electrodes de porte au polysilicium (28, 38) sont dopees simultanement avec des impuretes d'un seul type de conductivite, independamment du substrat semi-conducteur (18). L'invention permet d'eviter le probleme de penetration qui se presente lorsqu'on utilise du bore pour doper le polysilicium. Apres formation des electrodes de porte (28, 38) a partir d'une couche de polysilicium (128), celles-ci sont recouvertes par un masque comprenant une couche d'oxyde de silicium (130) et une couche de nitrure de silicium (132). Ensuite, des sources (22, 34) et des drains (24, 32) de transistor a canaux n et p (12, 14) sont formes et une barriere d'implantation ou de diffusion (148) se developpe sur les sources (22, 34) et sur les drains (24, 32). Le masque (130, 132) est retire des electrodes de porte (28, 38) qui sont ensuite dopees avec une impurete du type n. Des resistances au polysilicium (50) peuvent etre formees en dopant initialement la couche de polysilicium (128) a un faible niveau de conductivite et en protegeant les regions des resistances (50) par un autre masque (138), qui peut etre en polysilicium ou nitrure de silicium, pendant un dopage ulterieur a un niveau eleve de conductivite. |
