UN METODO DE FABRICACION DE UNA ALEACION SEMICONDUCTORA

摘要

METODO DE FABRICACION DE UNA ALEACION SEMICONDUCTORA DE TIPO P. SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO UN MATERIAL QUE CONTENGA COMO MINIMO SILICIO, MEDIANTE DESCARGA LUMINISCENTE DE UN COMPUESTO QUE CONTIENE POR LO MENOS SILICIO,EN UNA ATMOSFERA A VACIO PARCIAL. DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE DEL MATERIAL SE INTRODUCE UN METAL EVAPORADO COMO ELEMENTO P-IMPURIFICADOR EN LA REGION DE DESCARGA LUMINISCENTE DONDE SE DEPOSITA EL SILICIO,CUYO ELEMENTO METALICO P-IMPURIFICADOR SE DEPOSITA CON EL MATERIAL DE SILICIO DEPOSITADO POR DESCARGA LUMINISCENTE PARA PRODUCIR UNA ALECAION DEL TIPO P.