| 发明名称 |
FABRICATION OF COMPOUND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH08330327(A) |
申请公布日期 |
1996.12.13 |
| 申请号 |
JP19950135127 |
申请日期 |
1995.06.01 |
| 申请人 |
HITACHI LTD;HITACHI VLSI ENG CORP |
发明人 |
KURODA ATSUSHI |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/338;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/338 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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