GATE MODULATION INPUT CIRCUIT WITH POLYCRYSTALLINE SILICON RESISTORS.

摘要

Un circuit d'entree a modulation de porte a dispositif de transfert de charge comprend une source de courant continu a haute impedance comprenant une resistance (9) de silicium polycristallin Un photodetecteur (11) commandant une porte de modulation (3a) est superpose au dispositif a transfert de charge et est connecte a une charge a haute impedance comprenant une autre resistance (19) de silicium polycristallin. La premiere resistance (9) de silicium polycristallin produit un niveau de courant continu uniforme dans le dispositif de transfert de charge tandis que la deuxieme resistance (19) de silicium polycristallin permet d'obtenir un gain eleve uniforme dans une pluralite de ces dispositifs formes sur un substrat semiconducteur.