| 发明名称 |
PROCEDE DE DOPAGE DE SEMI-CONDUCTEURS |
| 摘要 |
<P>LA PRESENTE ADDITION A POUR OBJET UN PERFECTIONNEMENT AU PROCEDE DE DOPAGE DE SEMI-CONDUCTEURS OBJET DE LA DEMANDE PRINCIPALE.</P><P>CE PROCEDE SE CARACTERISE EN CE QUE LE BOMBARDEMENT DE LA COUCHE DE MATERIAU CONTENANT LES PARTICULES DOPANTES DEPOSEES SUR LA SURFACE DU SUBSTRAT, L'ELIMINATION DE LA COUCHE DOPANTE APRES PENETRATION DES PARTICULES DOPANTES DANS LE SUBSTRAT ET LE RECUIT TRANSITOIRE SONT REALISES DANS LE MEME TEMPS AU MOYEN DU MEME FAISCEAU DE PARTICULES.</P>
|
| 申请公布号 |
FR2506344(A2) |
申请公布日期 |
1982.11.26 |
| 申请号 |
FR19810010132 |
申请日期 |
1981.05.21 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
MICHEL BRUEL ET PHILIPPE SPINELLI;SPINELLI PHILIPPE |
| 分类号 |
H01L21/263;H01L21/265;H01L21/324;(IPC1-7):C30B31/22;H01L21/26;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/263 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
