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In einem Verfahren zur Einstellung der Trägerlebensdauer in einem Halbleiterbauelement (1) mittels Partikelbestrahlung (P) werden im Haltleiterbauelement (1) mindestens zwei Defektstellenzonen (10, 11, 12, 13) erzeugt. Ei Partikelstrahl (P), bestehend aus Teilchen (a, b, c, d) mit mindestens annähernd derselben Ausgangsenergie, wird dabei vor Auftreffen auf das Halbleiterbauelement (1) durch mindestens ein Mittel (2) derart beeinflusst, dass die Teilchen (a, b, c, d) anschließend unterschiedliche Energiewerte aufweisen, wobei mindestens zwei Energiewertgruppen unterscheidbar sind. Es lassen sich somit mit einer einzigen Partikelbestrahlung eine beliebige Anzahl Defektstellenzonen erzeugen, deren Anordnung und Gewichtung beliebig wählbar ist.
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