PROCEDE ET DISPOSITIF DE DEVIATION D'UN FAISCEAU D'IONS D'IMPLANTATEUR D'IONS SUR UNE CIBLE ABSORBANT LES IONS

摘要

LE FAISCEAU D'IONS D'UN IMPLANTATEUR DE FAISCEAU D'IONS 11 EST NORMALEMENT DEVIE DANS UNE PREMIERE DIRECTION PREDETERMINEE D'UN ANGLE PREDETERMINE PAR RAPPORT A UNE TRAJECTOIRE RECTILIGNE 20 POUR TOMBER AINSI SUR UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR CIBLE 42. LE FAISCEAU EST DEVIE DE L'ANGLE PREDETERMINE PAR RAPPORT A LA TRAJECTOIRE RECTILIGNE 20 POUR PRENDRE UNE DEUXIEME DIRECTION PREDETERMINEE QUI EST OPPOSEE A LA PREMIERE DIRECTION ET TOMBER AINSI SUR UNE CIBLE D'ABSORPTION DE FAISCEAU 38 QUI ABSORBE LE FAISCEAU. LE FAISCEAU EST DEVIE DANS LA PREMIERE ET DANS LA DEUXIEME DIRECTIONS PAR APPLICATION DE TENSIONS DE DECALAGE CONTINUES D'AMPLITUDES EGALES MAIS DE POLARITES OPPOSEES A UN PREMIER JEU DE PLAQUES DE DEVIATION ELECTROSTATIQUE 23 QUI EST SITUE EN AVAL D'UN DEUXIEME JEU DE PLAQUES DE DEVIATION ELECTROSTATIQUE 22.