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Die Erfindung bezieht sich auf einen lichtzündbaren Thyristor, dessen n(p)-Emitter innerhalb eines lichtaktiven Halbleiterbereichs mit gategesteuerten MIS-Strukturen versehen ist, die steuerbare Emitter-Kurzschlußpfade enthalten. Eine einfache und leicht herzustellende Ausführungsform eines solchen Thyristors wird dadurch erreicht, daß jede MIS-Struktur (M1) ein im Abstand zum n(p)-Emitter (1b) in die p(n)-Basisschicht (2) eingefügtes n(p)-Kurzschlußgebiet (5) aufweist, dad über eine leitende Belegung (10) mit der p(n)-Basisschicht (2) verbunden ist. Das Anwendungsgebiet des Thyristors liegt in der Leistungshalbleitertechnik.
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