| 主权项 |
1.一种形成显示用萤光膜之组成物,系由以组成物 淤泥液总重量计如下示化学式 (式内R2示伸烷基,Y示SO3或CO2 ,m示0或1,n示1~6之整数, 示啶基)表示的具有内部构造之以苯乙烯基 啶系感光基的感光性树脂20~35重量%及与酸容易 反应的萤光体20~35重量%与分散剂分散于纯水水性 介质中而成者。2.如申请专利范围第1项之形成显 示用萤光膜之组成物,其中前述萤光体系指其萤光 体母体或萤光体之掺杂元素的至少一者为与酸容 易反应之化合物。3.如申请专利范围第1项之形成 显示用萤光膜之组成物,其中前述萤光体系具有由 氧化物而成之母体。4.如申请专利范围第3项之形 成显示用萤光膜之组成物,其中前述母体系Zn及Ga 之氧化物。5.如申请专利范围第4项之形成显示用 萤光膜之组成物,其中前述母体系ZnGa2O4。6.一种显 示用萤光膜之形成方法,系由以组成物淤泥液总重 量计如下示化学式 (式内R2示伸烷基,Y示SO3或CO2 ,m示0或1,n示1~6之整数, 示啶基)表示的具有内部构造之以苯乙烯基 啶系感光基的感光性树脂20~35重量%及与酸容 易反应的萤光体20~35重量%与分散剂分散于纯水水 性介质而成的形成显示用萤光膜组成物涂布于被 形成面上而形成萤光体层之步骤,及由前述萤光体 层之上选择性的照射紫外线后经显影使前述萤光 体层形成指定的图案之步骤,与将已予形成于指定 图案上的前述萤光体层予以煆烧之煆烧步骤而成 者;其中该烧步骤系在氧化性气氛中,温度400至 500℃范围,进行10至20分钟。7.一种显示用萤光膜之 形成方法,系由在被形成面上形成阳极导体之步骤 ,及系由以组成物淤泥液总重量计如下示化学式 (式内R2示伸烷基,Y示SO3或CO2 ,m示0或1,n示1~6之整数, 示啶基)表示的具有内部构造之以苯乙烯基 啶系感光基的感光性树脂20~35重量%及与酸容易 反应的萤光体20~35重量%与分散剂分散于纯水水性 介质而成的形成显示用萤光膜组成物涂布于前述 阳极导体之上而形成萤光体层之步骤,及由前述萤 光体层之上选择性的照射紫外线后经显影使前述 萤光体层形成指定的图案之步骤,与将已予形成于 指定图案上的前述萤光体层予以煆烧之煆烧步骤 而成者;其中该烧步骤系在氧化性气氛中,温度 400至500℃范围,进行10至20分钟。8. 一种显示用萤 光膜之形成方法,系由在被形成面上形成阳极导体 之步骤,及于前述阳极导体之上形成预涂层之步骤 ,及系由以组成物淤泥液总重量计如下示化学式 (式内R2示伸烷基,Y示SO3或CO2 ,m示0或1,n示1~6之整数, 示啶基)表示的具有内部构造之以苯乙烯基 啶系感光基的感光性树脂20~35重量%及不耐酸性 之萤光体20~35重量%与分散剂分散于纯水水性介质 而成的形成显示用萤光膜组成物涂布于前述预涂 层膜之上而形成萤光体层之步骤、及由前述萤光 体层之上选择性的照射紫外线后经显影使前述萤 光体层形成指定的图案案之步骤,与将已予形成于 指定图案上的前述萤光体层予以煆烧之煆烧步骤 而成者;其中该烧步骤系在氧化性气氛中,温度 400至500℃范围,进行10至20分钟。9.如申请专利范围 第7项或第8项之显示用萤光膜之形成方法,其中前 述被形成面系玻璃基板,前述阳极导体系透光性导 电膜。10.如申请专利范围第9项之显示用萤光膜之 形成方法,其中前述透光性导电膜系铟锡氧化物( ITO)。11.如申请专利范围第9项之显示用萤光膜之 形成方法,其中透光性导电膜系具有间隙之金属薄 膜。12.如申请专利范围第7项或第8项之显示用萤 光膜之形成方法,其中前述萤光体系ZnGa2O4:Mn。13. 如申请专利范围第6项、第7项或第8项之显示用萤 光膜之形成方法,其中前述烧步骤系于氧化性笼 罩气氛内在400~500℃进行。14.一种显示用萤光膜之 形成方法,系于将多数种类之萤光体而成的萤光膜 形成于绝缘性之被形成面上的萤光膜之形成方法, 其中前述多数种类之萤光体中的至少一种萤光膜 之形成方法中,包含以将由以组成物淤泥液总重量 计,如下式化学式 (式内R2示伸烷基,Y示SO3或CO2 ,m示0或1,n示1~6之整数, 示啶基)表示的具有内构造之以苯乙烯基啶 系感光基的第1感光性树脂20~35重量%及萤光体20~ 35重量%与分散剂分散于纯水性介质而成萤光膜形 成材料淤泥液涂布于绝缘性之被形成面上而形成 萤光体层,将含有第2感光性树脂之罩面层材料涂 布于前述萤光体层之上而形成罩面层,对前述罩面 层选择性的照射紫外线后经显影使前述萤光体层 及前述罩面层形成指定的图案之步骤。15.一种显 示用萤光膜之形成方法,系于将多数种类之萤光体 而成的萤光膜形成于绝缘性之玻璃基板上的萤光 膜之形成方法,其中前述多数种类之萤光体中的至 少一种萤光体之形成方法中,包含将阳极导体形成 于前述玻璃基板上,以将由以组成物淤泥液总重量 计,如下式化学式 (式内R2示伸烷基,Y示SO3或CO2 ,m示0或1,n示1~6之整数, 示啶基)表示的具有内构造之以苯乙烯基啶 系感光基的第1感光性树脂20~35重量%及萤光体20~ 35重量%与分散剂分散于纯水性介质而成萤光膜形 成材料淤泥液涂布于前述阳极导体之上而形成萤 光体层,将含有第2感光性树脂之罩面层材料涂布 于前述萤光体层之上而成罩面层,对前述罩面层选 择性的照射紫外线后经显影使前述萤光体层及前 述罩面层形成指定的图案之步骤。16.如申请专利 范围第15项之显示用萤光膜之形成方法,其中前述 阳极导体系透光性导电膜。17.如申请专利范围第 15项之显示用萤光膜之形成方法,其中前述透光性 导电膜系铟锡氧化物(ITO)。18.如申请专利范围第15 项之显示用萤光膜之形成方法,其中前述透光性导 电膜系具有间隙之金属薄膜。19.一种显示用萤光 膜之形成方法,系于将多数种类之萤光体而成的萤 光膜形成方法,其特征在于由前述多数种类萤光体 中的至少一种萤光膜在形成萤光面后,再于前述萤 光膜之上形成金属薄膜,包含以将由以组成物淤泥 液总重量计,如下式化学式 (式内R2示伸烷基,Y示SO3或CO2 ,m示0或1,n示1~6之整数, 示啶基)表示的具有内构造之以苯乙烯基啶 系感光基的第1感光性树脂20~35重量%及萤光体20~ 35重量%与分散剂分散于纯水性介质而成萤光膜形 成材料淤泥液涂布于玻璃面上而形成萤光体层,将 含有感光性树脂之罩面层材料涂布于前述萤光体 层之上而成罩面层,对前述罩面层选择性的照射紫 外线后经显影使前述萤光体层形成指定的图案之 步骤。20.如申请专利范围第14项、第15项或第19项 之显示用萤光膜之形成方法,其中前述罩面层材料 所含的第2感光性树脂系在水中可显影的有机溶剂 涂布系之感光性树脂。21.如申请专利范围第20项 之显示用萤光膜之形成方法,其中前述罩面层材料 所含的第2感光性树脂系含有羟丙基纤维素及光酸 发生剂。图式简单说明: 第一图为表示本发明之第1实施例之步骤图。 第二图为表示本发明之第2实施例之步骤图。 第三图为表示本发明之第3实施例之步骤图。 第四图为于本发明之第3实施例以模式的表现出在 萤光面上形成铝膜之际的作用之图。 |
