| 主权项 |
1.一种通式(I)之桥联的环戊二烯基衍生物 A-X-B (I) 其中 1)A是通式(II)之单官能羟基, 其中R和R★系选自: -H, -具有从1至3个碳原子之单官能烷基, -单官能C1-C4烷基-苯基或苯基,但是其条件为:不同 于H之R的数目是不多于2且至少一R★是H; 2)n是从2至10之整数; 3)-X-是介于A和B之桥联,且系由一种双官能基所组 成选自: a)一种线型或分支型C2-C20伸烷基; b)一种甲基或苯基取代之具有从1至2矽原子的伸矽 烷基; c)一种甲基取代之矽伸烷基; 4)B是一种单官能烃基,选自 d)如上所定义之A基之任何一种; e)一种环戊二烯基。2.如申请专利范围第1项之环 戊二烯基衍生物,其中所有的R=H,且R★系选自H和CH3 。3.如申请专利范围第1项之环戊二烯基衍生物,其 中n系选自3.4.5.6.10。4.如申请专利范围第1项之环 戊二烯基衍生物,其中R=R★=H且n系选自5.6和10。5. 如申请专利范围第1项之环戊二烯基衍生物,其中-X -系选自线型或分支型伸烷基衍生物和二甲基伸矽 烷基。6.如申请专利范围第5项之环戊二烯基衍生 物,其中X-系选自乙烯、亚异丙基和二甲基伸矽烷 基。7.如申请专利范围第1项之环戊二烯基衍生物, 其中B是一种单官能环戊二烯基(e),选自环戊二烯 基、基、茀基和相关的C1-C4烷基、苯基、三甲 基矽烷基取代之衍生物。8.如申请专利范围第7项 之环戊二烯基衍生物,其中B是一种单官能环戊二 烯基(e),选自环戊二烯基、基、茀基。9.一种制 备通式A-X-B化合物之方法,其中A和B具有如申请专 利范围第1项所定义之意义,且-X-是一种R3-C-R4型之 基,其中R3和R4是选自单官能C1-C5烷基、苯基、或R3 和R4联合形成一种C4-C5伸烷基,其涉及以下步骤: 添加碳氢化合物BH到式(III)之富烯化合物中: 上述碳氢化合物BH系选自如申请专利范围第1项中 所定义之单官能烃基(d)和 (e)相对应的碳氢化合物之任何一种。10.如申请专 利范围第9项之方法,其特征为: 该步骤是藉由制备碳氢化合物BH之阴离子且接着 将上述阴离子与富烯中间物(III)相互作用来进行 。11.一种具有通式(III)之富烯衍生物: 其中R=H,R是选自H和CH3.R3=R4=CH3,n是选自3.4.5.6和10。 12.一种用于获得通式A1-X-A1化合物之方法,其中X是 一种二甲基伸矽烷基,且A1基(彼此相同)系选自如 申请专利范围第1项所定义之A基,其系包含碳氢化 合物A1H与一种二烷基二卤素矽烷,在莫耳比率A1二 烷基二卤素矽烷为约2/1之反应。13.如申请专利范 围第16项之方法,其中二烷基二卤素矽烷是二烷基 二氯矽烷。14.一种用于获得通式A1-X-B化合物之方 法,其中 -X-是一种二甲基伸矽烷基; A1是一种单官能烃基选自如申请专利范围第1项所 定义之A基; B是选自: --A2,其中A2是如申请专利范围第1项所定义之A基之 任何一种,其条件为其是不同于A1, --环戊二烯基(e), 该方法是在两步骤中进行,其中之第一步骤(步骤a) 系包含化合物A1H与一种二烷基二卤素矽烷之反应, 其莫耳比A1H/二烷基二卤素矽烷为约1/1;第二步骤 系包含在步骤(a)所获得之化合物与一种碳氢化合 物BH,且本质上与在步骤(a)所获得之产物之相同莫 耳比下的反应。15.如申请专利范围第14项之方法, 其中二烷基二卤素矽烷系二烷基二氯矽烷。 |
